光刻機（Mask Aligner）又名掩模對準(zhǔn)曝光機，是芯片制造流程中光刻工藝的核心設(shè)備。芯片的制造流程極其復(fù)雜，而光刻工藝是制造流程中最關(guān)鍵的一步，光刻確定了芯片的關(guān)鍵尺寸，在整個芯片的制造過程中約占據(jù)了整體制造成本的35%。光刻機主要用途就是生產(chǎn)集成電路，將設(shè)計好的集成電路模板復(fù)刻到硅晶圓上，從而生產(chǎn)出足夠微小、 精確、高效率的集成電路。
光刻技術(shù)自1947年貝爾實驗室發(fā)明了第一只點接觸晶體管而開始發(fā)展，隨著時間的推移和技術(shù)的突破，逐漸衍生出了不同的發(fā)展方式。1959年誕生的第一臺晶體管計算機和其提出的光刻工藝開啟了接近式光刻機的發(fā)展，而仙童半導(dǎo)體的成就包括世界上第一個適用于單結(jié)構(gòu)硅晶片的光刻機和CMOS IC制造工藝的提出。在1960年代，仙童還生產(chǎn)了第一臺IC計算機IBM360，并建立了第一條2英寸集成電路生產(chǎn)線。接著，美國GCA公司的光學(xué)圖形發(fā)生器和分布重復(fù)精縮機開拓了步進式光刻機的發(fā)展。在1970年代，GCA又推出了第一臺分布重復(fù)投影曝光機，極大地縮小了集成電路圖形線寬。1980年代，SVGL公司的步進掃描投影曝光機進一步降低了線寬。而隨著時間的推移，光刻技術(shù)持續(xù)突破分辨率極限，采用了不同的發(fā)展方向，包括極紫外線光刻技術(shù)、電子束光刻技術(shù)、X射線光刻技術(shù)和納米壓印技術(shù)等。這些新技術(shù)的出現(xiàn)使光刻技術(shù)在持續(xù)努力突破分辨率極限的同時也開始探索新的研究方向，為集成電路的發(fā)展提供了更多可能性。
現(xiàn)代光刻機根據(jù)光源可分為紫外光刻機、深紫外光刻機和極紫外光刻機。根據(jù)曝光方式可分為接觸式光刻機、接近式光刻機和直寫式光刻機。光刻機的關(guān)鍵性能指標(biāo)包括分辨率、對準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長和生產(chǎn)效率等。光刻機的核心組成部分包括光源、鏡頭和工作臺，每個部件都非常復(fù)雜，需要精心設(shè)計以實現(xiàn)精度、效率和穩(wěn)定性的最佳表現(xiàn)。光刻機廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片制造、微機電系統(tǒng)（MEMS）、印刷電路板（PCB）以及顯示屏制造等領(lǐng)域。
全球光刻機的主要公司有荷蘭ASML、日本尼康株式會社和佳能，其中ASML市場占有率超過70%，是唯一一家能制造高端極紫外光刻機的企業(yè)。2022年ASML前愛新覺羅·旻寧刻機產(chǎn)品中EUV光刻機的銷售額占比近50%。日本的Canon公司主要生產(chǎn)i-line光刻機，Nikon公司主要生產(chǎn)除EUV外的其它光刻機。在中國公司中，上海微電子的后道封裝光刻機在中國國內(nèi)的市占率高達80%，全球的市占率約為40%。
發(fā)展歷史
萌芽時期
1947年，貝爾實驗室發(fā)明第一只點接觸晶體管，從此光刻技術(shù)開始了發(fā)展。當(dāng)時，計算機的大量使用使得芯片的需求量大增，許多科學(xué)家都在研究發(fā)展計算機，于是光刻技術(shù)迅速被人們所重視并飛速發(fā)展。20世紀(jì)50年代，光刻技術(shù)“百花齊放”，出現(xiàn)過各種光刻手段，但是分辨率要求不高、器件也比較簡單。
1959年世界上第一臺晶體管計算機出現(xiàn)后，快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司提出規(guī)范的光刻工藝，以此研制世界第一個適用單結(jié)構(gòu)硅晶片。20世紀(jì)60年代，光刻技術(shù)已經(jīng)從實驗室走向了生產(chǎn)線。魯爾發(fā)明外延生長工藝，仙童提出互補氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體（CMOSIC）制造工藝，并且成功研制了世界上第一臺集成電路的計算機IBM360。隨著集成電路芯片技術(shù)的發(fā)展，芯片尺度越小、晶體管數(shù)量越多的摩爾定律在1965年被提出。CMOS門系列被成功研制，并且世界上第一臺2英寸集成電路生產(chǎn)線被建立。GCA公司開發(fā)出光學(xué)圖形發(fā)生器和分布重復(fù)精縮機。
大發(fā)展時期
到了20世紀(jì)70年代，微光刻技術(shù)已經(jīng)基本成熟，這個時代是以8為μm工藝為代表的。1970年代，GCA開發(fā)出第一臺分布重復(fù)投影曝光機，集成電路圖形線寬從1.5μm縮小到0.5μm節(jié)點。這個時代研制出來了第一塊微處理器英特爾4004，建立了世界上第一條3英寸集成電路生產(chǎn)線，1973年半導(dǎo)體設(shè)備推出了第一塊CMOS微處理器1802。集成電路的摩爾定律開始顯現(xiàn)。隨后荷蘭的ASML公司開始開發(fā)數(shù)字化曝光機、投影光刻機等關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)，并且在1973年建立了世界上第一條4英寸集成電路生產(chǎn)線。1979年IBM推出世界第一臺個人計算機英特爾8088。
20世紀(jì)80年代是光刻集成電路進行自動化大生產(chǎn)的時期。80年代，美國SVGL公司開發(fā)出第一代步進掃描投影曝光機，集成電路圖形線寬從0.5μm縮小到0.35μm節(jié)點。1988年，世界上第一條8英寸集成電路生產(chǎn)線建立，并研制出了16M位DRAM，由此進入超大規(guī)模集成電路時代CMOS工藝有120萬個晶體管，IBMDRAM進入市場。集成電路和光刻技術(shù)已經(jīng)進入亞微米時代。光刻分辨率以800nm的CAD制版為主。1990年代，Cano著手300mm晶圓曝光機，推出EX3L和5L步進機；ASML推出FPA2500，193nm波長步進掃描曝光機。光學(xué)光刻分辨率到達70nm。20世紀(jì)90年代，高分辨光刻技術(shù)的特征尺寸向深亞微米推進。卡爾·蔡司、尼康株式會社等公司紛紛推出自己的投影式光刻產(chǎn)品，1999年實現(xiàn)了0.13μm光刻工藝。
2004年前，尼康一直穩(wěn)坐光刻機市場第一的位置。然而這一局面隨著臺積電2002年提出以水作為介質(zhì)的193nm浸潤式光刻技術(shù)悄然發(fā)生改變。當(dāng)時該技術(shù)沒有得到尼康、佳能等主流光刻機廠商的支持，處于發(fā)展瓶頸期的ASML主動提出與臺積電合作，并于2004年推出了浸沒式光刻機，該產(chǎn)品憑借優(yōu)良的性價比僅5年就讓ASML的市場份額提高到50%，徹底顛覆了光刻機市場格局。
ASML的成功不僅僅是抓住了技術(shù)變革的窗口期，更是充分利用全球產(chǎn)業(yè)資源的結(jié)果。EUV光刻機中含8000個核心零部件，其中僅有10%是ASML公司提供，其余均來自產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，ASML的全球供應(yīng)商超過500家，最核心的頂級的光源（激光系統(tǒng)）、高精度的鏡頭（物鏡系統(tǒng)）和精密儀器制造技術(shù)（工作臺）三大部件和系統(tǒng)，均由德國和美國公司提供。
成熟時期
進入21世紀(jì)，隨著智能手機的迅速發(fā)展，芯片的縮小技術(shù)已經(jīng)愈發(fā)重要，智能手機的運算速度越來越快，對光刻技術(shù)的縮小有了更高的要求。光刻的線寬以每三年減少70%的速度減少。光刻機的光源波長已經(jīng)從過去的汞燈紫外光波段進入到深紫外波段（DUV）準(zhǔn)分子激光（波長為193nm）進入光刻應(yīng)用。
2010年代，光刻光源的波長已經(jīng)到頭，再短就要進入軟X射線。人們根據(jù)光的干涉特性，利用各種波前技術(shù)優(yōu)化工藝參數(shù)也是提高分辨率的重要手段。這些技術(shù)是運用電磁理論結(jié)合光刻實際對曝光成像進行深入分析所取得的突破，其中有移相掩膜、離軸照明技術(shù)、鄰近效應(yīng)校正等。運用這些技術(shù)，可在目前的技術(shù)水平上獲得更高分辯率的光刻圖形。光源為193nm，通過采用波前技術(shù)，可在300mm硅片上實現(xiàn)0.014μm光刻線寬。同時ASML公司與蔡司公司一道研制出了極紫外（軟X射線）光刻系統(tǒng)，將現(xiàn)在的光刻分辨率推到了5nm。
參考資料
參考資料
現(xiàn)代光刻機的組成部分
一臺完整的光刻機包含超過10萬個零部件，這些零部件按照功能組成若干關(guān)鍵組件，以組件為最小單位研究光刻機產(chǎn)業(yè)鏈。根據(jù)光刻工藝過程，又可以將光刻機分為若干軟硬件協(xié)同的工作系統(tǒng)。光刻機中還有若干關(guān)鍵的耗材，歸類在配套設(shè)施中。
結(jié)構(gòu)組件
光刻機結(jié)構(gòu)組件包括光學(xué)組件、工作臺、曝光組件、封閉框架、其他組件等。光學(xué)組件指激光光源及對激光進行能量調(diào)整、形狀控制的一系列組件：激光光源，即激光發(fā)生器，DUV使用193nm波長的深紫外激光光源，EUV使用13.5nm波長的極紫外激光光源；光學(xué)鏡片，指若干物鏡及其他光學(xué)鏡片；光束形狀設(shè)置，將光束設(shè)置為圓形、環(huán)形等不同形狀，從而獲得不同的光學(xué)特性；光束矯正器，矯正光束入射方向獲得平行光。工作臺包括光刻機中主要的3個工作平臺：測量臺、曝光臺，也稱雙工作臺，一般的光刻機在一個工作臺上先測量再曝光，雙工作臺可同時進行測量與曝光提升工作效率；掩膜臺，控制掩膜版運動，控制精度為納米級。曝光組件指與曝光過程相關(guān)的關(guān)鍵組件：掩膜，即掩膜版，承載IC設(shè)計電路圖的玻璃板，激光透過掩膜將設(shè)計圖形投射在光刻膠上，掩膜的性能直接決定了光刻工藝的質(zhì)量；遮光器，在不需曝光時阻止光束照射到硅片的組件；能量探測器，對要照射到掩膜上的激光進行檢測，反饋給能量控制器進行調(diào)整以滿足曝光要求。封閉框架與減振器：將雙工作臺與外部環(huán)境隔離，使工作臺保持水平并減少來自外界的振動干擾，維持穩(wěn)定的溫度和壓力。
系統(tǒng)
光刻機系統(tǒng)可以分為10個組成部分。光刻機的所用硬件部分需要組合起來順序完成工作，因此這需要整機軟件系統(tǒng)和控制系統(tǒng)來指揮光刻機的各個部分，相當(dāng)于光刻機的大腦。
配套設(shè)施
光刻機配套設(shè)施包括：光刻膠、光刻氣體、浸沒液體、涂膠顯影、線材等。光刻膠是指光致抗蝕劑，用以在曝光中的得到所需的電路圖像；光刻氣體是指光刻機產(chǎn)生激光的光源；浸沒液體是指用在DUV等浸沒式光刻機的液體，使用折射率大于1的水作為媒介進行光刻，將提升最小分辨率，如采用折射率為1.44的去離子水等；涂膠顯影指專用的涂膠顯影機，用以在曝光后進行顯影工藝；線材指光刻機中所需的各種線路材料等。
光刻原理
光刻（lithography）設(shè)備是一種投影曝光系統(tǒng)，由紫外光源、光學(xué)鏡片、對準(zhǔn)系統(tǒng)等部件組裝而成。在半導(dǎo)體制作過程中，光刻設(shè)備會投射光束，穿過印著圖案的光掩膜版及光學(xué)鏡片，將線路圖曝光在帶有光感涂層的硅晶圓上，如圖1所示。通過蝕刻曝光或未受曝光的部份來形成溝槽，然后再進行沉積、蝕刻、摻雜，架構(gòu)出不同材質(zhì)的線路。此工藝過程被一再重復(fù)，將數(shù)十億計的MOSFET或其他晶體管建構(gòu)在硅晶圓上，形成一般所稱的集成電路。
光刻機的工作原理是：不同類型的光源（如早期高壓汞燈、深紫外光、極紫外光等）發(fā)出的光，經(jīng)照明系統(tǒng)調(diào)制為特定形狀、高度均勻的光束，穿過掩模版（其上預(yù)先制作有集成電路圖案），再通過投影物鏡系統(tǒng)將圖案精確縮小（通常為4倍或5倍）并投影到硅片表面的光刻膠上，引發(fā)光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)（正膠光照區(qū)域可溶于顯影液，負膠則相反）；隨后用顯影液溶解相應(yīng)區(qū)域的光刻膠，將掩模版圖案復(fù)制并微縮到硅片上，得到刻在硅片上的電路圖。
性能指標(biāo)
分類
按光源分類
紫外光刻機
紫外光刻機是一種利用紫外光進行曝光的光刻機，主要用于制造微電子器件和微納米結(jié)構(gòu)。其光源通常為汞燈或氙氣光源，波長通常在365納米或248納米，而采用的光刻膠通常是正膠，分辨率可達亞微米級別。紫外光刻機的曝光方式通常為投影式光刻，即通過掩模將圖案投影到光刻膠表面。由于其高分辨率、高精度、高效率等優(yōu)點，紫外光刻機被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
深紫外光刻機
深紫外（Deep UV，DUV）光刻技術(shù)是一種先進的光刻技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于制備納米尺度范圍的10~250nm幾何特征。為了使用DUV技術(shù)，需要采用更短波長的紫外光。為了產(chǎn)生這樣的紫外光，準(zhǔn)分子激光器被應(yīng)用，它能夠產(chǎn)生高度均勻的相干單色光束。其中，二氟化氪（KrF）激光器可以產(chǎn)生248nm的波長，而化（ArF）準(zhǔn)分子激光器可以產(chǎn)生高強度的193nm波長的紫外光，它們在光刻領(lǐng)域被廣泛認可。在實際應(yīng)用中，193nm的波長在先進光刻領(lǐng)域被視為標(biāo)準(zhǔn)能量載體。而在DUV范圍內(nèi)，則使用透射光掩模。
極紫外光刻機
極紫外光刻機（Extreme Ultraviolet Lithography，EUV）是一種先進的光刻技術(shù)，利用波長約為13.5納米的極紫外光進行曝光。與傳統(tǒng)的光刻技術(shù)相比，EUV具備更短的波長，使得分辨率更高，特征尺寸更小。因此，它在半導(dǎo)體制造和先進微納加工領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。EUV光刻技術(shù)的光學(xué)系統(tǒng)和光源技術(shù)非常復(fù)雜，需要精密的設(shè)備和控制系統(tǒng)來實現(xiàn)。作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的前沿技術(shù)之一，EUV已經(jīng)成功用于生產(chǎn)高性能微處理器和存儲器件。
按曝光分類
接觸式光刻機
接觸式光刻機使用接觸式曝光（ContactPrinting）方法，即將掩模板直接與光刻膠層接觸。根據(jù)施加力量的方式，接觸式分為軟接觸、硬接觸和真空接觸。軟接觸是將基片通過托盤吸附住，掩模蓋在基片上面；硬接觸通過氣壓將基片往上頂與掩模接觸；真空接觸是在掩模和基片之間抽氣，使之更好地貼合。然而，接觸式光刻機的缺點是光刻膠易污染掩模板，且壽命短，只能使用有限次數(shù)。由于這些限制，接觸式光刻機在20世紀(jì)70年代的工業(yè)水平上逐漸被接近式曝光方式取代。
接近式光刻機
接近式曝光（Proximity Printing）是一種復(fù)制型光刻方法，掩模版與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙，縫隙大約為0～200μm。其工作原理是通過掩模版與光刻膠基底層之間微小的縫隙，將掩模版上的微納圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到待加工圖形表面。類似于“手影”游戲，利用阻擋光線傳播的圖形形成明暗相間的圖案并記錄下所需圖形。接近式光刻機結(jié)構(gòu)簡單、加工效率高、成本低，能實現(xiàn)大芯片面積曝光且易于使用。然而，它有分辨力低、曝光圖形質(zhì)量差、工藝一致性差等缺點，僅能進行1：1的圖形復(fù)制，無法進一步縮小復(fù)制圖形。盡管如此，接近式光刻仍然是器件制造中應(yīng)用廣泛的一種光刻方法，特別適用于光刻分辨力要求低、芯片面積大、厚膠和非標(biāo)基片等場景，除集成電路（IC）和平板顯示外的各種器件基本都采用了該方法。接近式光刻可分為手動式、半自動式和全自動式三種操作模式。
直寫式光刻機
直寫式光刻機是一種基于光刻技術(shù)的微電子制造設(shè)備，利用光線和光刻膠的相互作用原理。其工作類似于書寫字體的過程。在操作中，設(shè)備通過多種手段，將光束（或電子束、離子束）聚焦成類似于筆尖一樣微小的點。然后通過移動筆尖或基片，實現(xiàn)它們之間的相對運動，從而加工出任意圖形。直寫式光刻機具備高精度加工的特點，最細線條的加工精度可達到納米級。然而，直寫式光刻機以點的方式進行加工，工作效率低且難以實現(xiàn)大面積直寫，不適合大批量結(jié)構(gòu)的制造。因此，它主要用于制作掩模板。
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體芯片制造
光刻機在半導(dǎo)體工業(yè)中起著至關(guān)重要的作用，它是關(guān)鍵的制造工具，用于將微細圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片表面。在集成電路制造中，光刻機幫助定義電路的結(jié)構(gòu)和元件，實現(xiàn)納米級別的圖案制作，制造高密度集成電路和其他微納米器件。此外，光刻機還實現(xiàn)多層次制作，將不同層次的圖案精確轉(zhuǎn)移至芯片表面，實現(xiàn)復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)，并在制程控制方面確保圖案的精確度和一致性，實現(xiàn)高質(zhì)量的芯片制造。
MEMS （微電子機械系統(tǒng)）
MEMS是將微型傳感器、執(zhí)行器和微結(jié)構(gòu)集成的系統(tǒng)。光刻技術(shù)是制造MEMS微細結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝，它能將微米級別甚至納米級別的圖案精確地轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料上，用于制造微電子器件。能夠?qū)崿F(xiàn)微小結(jié)構(gòu)的制造，例如微機械傳感器和執(zhí)行器。還支持多層次制作，實現(xiàn)復(fù)雜的微電子機械系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，如微型加速度計、微型陀螺儀等。光刻機的使用還能確保制造過程的精確度和一致性，從而實現(xiàn)高質(zhì)量的微電子機械系統(tǒng)制造。
印刷電路板 （PCB）
光刻技術(shù)在PCB制造中扮演著重要角色，用于精確定義導(dǎo)線、孔洞和其他微細結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)復(fù)雜的電路板設(shè)計。光刻機能將微米級別甚至納米級別的圖案精確轉(zhuǎn)移到基板表面，實現(xiàn)PCB上的微細線路和微結(jié)構(gòu)制造。此技術(shù)在高密度互連（HDI）PCB制造中尤為重要，能實現(xiàn)高分辨率的圖案制作，并可應(yīng)用于多層次制作以實現(xiàn)復(fù)雜的PCB結(jié)構(gòu)。光刻機還在制程控制方面發(fā)揮作用，確保微米級別甚至納米級別的圖案精確度和一致性，為高質(zhì)量的PCB制造提供保障。
顯示屏制造
光刻機在液晶顯示器（LCD）和有機發(fā)光二極管（OLED）等顯示技術(shù)中扮演著重要角色，用于定義像素和電路，實現(xiàn)高分辨率和高質(zhì)量的顯示屏制造。通過將微米級別甚至納米級別的圖案精確轉(zhuǎn)移至基板表面，光刻機能幫助制造微細線路和像素結(jié)構(gòu)，并實現(xiàn)復(fù)雜的顯示屏結(jié)構(gòu)制作，例如多層次OLED顯示屏。同時，光刻機還在制程控制中發(fā)揮作用，確保圖案的精確度和一致性，從而實現(xiàn)高質(zhì)量的顯示屏制造。
主要廠商
ASML
ASML公司是一家總部位于荷蘭的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，是全球最大的光刻設(shè)備制造商之一，并在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)基地。
Nikon
尼康公司（Nikon）是一家總部設(shè)在日本東京的跨國公司，是世界上領(lǐng)先的光刻機制造商之一，其產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)。
Canon
佳能（Canon ）是一家總部位于日本東京的跨國公司。是世界上重要的光刻機制造商之一，其半導(dǎo)體光刻機技術(shù)主要應(yīng)用于平板顯示器制造領(lǐng)域，在全球范圍內(nèi)有多個研發(fā)和制造基地。
制造挑戰(zhàn)
光刻機裝備的核心部件有光源、鏡頭、工作臺，每個部件都結(jié)構(gòu)復(fù)雜、經(jīng)過精心設(shè)計，需要將精度、效率和穩(wěn)定性發(fā)揮到極致。光刻機鏡頭的制造也是一項門檻極高的高科技，需要極為精密、長期積累的研磨拋光技術(shù)。工作臺的光罩平臺模組承載著光罩并來回移動，晶圓平臺模組精準(zhǔn)定位晶圓的位置并進行移動。為保證加工精度，每一次移動后停止位置的定位精度都要達到納米級。
光刻機價格昂貴、工作時的耗電量極大，因而光刻制程中時間就是金錢，高端光刻機工作臺部件的移動速度極快，工作時的加速度達到自由落體運動時加速度的數(shù)倍。此外，經(jīng)過光刻制程后的晶圓還需進行后續(xù)的刻蝕、成膜、CMP等復(fù)雜精密的半導(dǎo)體工藝流程，才能成為芯片裸片。
相關(guān)事件
中國首臺國產(chǎn)商業(yè)化電子束光刻機誕生
2025年8月13日，中國首臺國產(chǎn)商業(yè)化電子束光刻機已在客戶現(xiàn)場進入應(yīng)用測試，標(biāo)志著量子芯片研發(fā)從此有了“中國刻刀”。該光刻機由中國科技大學(xué)的浙大量子研究院自主研發(fā)，該光刻機取名“羲之”，是因其精密“書寫”能力與書法家王羲之的毛筆神韻相契合。這臺設(shè)備專攻量子芯片、新型半導(dǎo)體研發(fā)的核心環(huán)節(jié)，它通過高能電子束在硅基上“手寫”電路，精度達到0.6納米，線寬8納米，可靈活修改設(shè)計圖案，無需傳統(tǒng)光刻所需的掩膜版，如同用納米級毛筆在芯片上作畫。
參考資料 >
芯片制造中的光刻機到底是什么？.澎湃新聞.2023-09-13
2022年全球光刻機市場：ASML遙遙領(lǐng)先.鳳凰新聞.2023-11-17
科學(xué)史話|現(xiàn)代光刻機.電子科技博物館.2023-09-13
【科普】工業(yè)皇冠上的明珠、芯片制造的利器—光刻機.科普中國.2023-09-13
光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景.中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所.2023-12-29
History-Over 30 years of ingenuity and perseverance.ASML.2023-11-18
關(guān)于尼康.Nikon.2023-11-18
半導(dǎo)體裝置解決方案.Nikon.2024-01-06
精機事業(yè).Nikon.2024-01-06
關(guān)于佳能.佳能.2023-11-18
佳能產(chǎn)日本首臺半導(dǎo)體光刻機「PPC-1」發(fā)售50周年.Canon.2024-01-06
全國首臺國產(chǎn)商業(yè)化電子束光刻機在杭州誕生.今日頭條.2025-08-14