磷化銦[yīn]（銦 phosphide），化學式為InP，是由銦和磷構(gòu)成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，屬于第二代半導體材料，常溫下呈銀灰色固體，極微溶于無機酸。
磷化銦具有閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，熔點為1070°C。磷化銦多晶合成的方法一般包括水平珀西·布里奇曼法和直接注入法。單晶制備主要采用垂直布里奇曼法（VB）、垂直溫度梯度凝固法（VGF）和液封直拉法（LEC），單晶生長方法主要有高壓液封直拉法（HPLEC）及其改進技術(shù)和溫度梯度凝固法兩種。
磷化銦晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高等諸多優(yōu)點，可廣泛應用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽電池等領(lǐng)域。典型的磷化銦基光電子器件有光波導器件、激光器、探測器和太陽電池等，微電子器件有高電子遷移率晶體管（HEMT）、毫米波和微波器件、高速數(shù)字集成電路及異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等。這些器件已成為新一代光纖通信、高精度航空武器系統(tǒng)、空間探測和空間衛(wèi)星系統(tǒng)等的關(guān)鍵部件。
2017年10月27日，世界衛(wèi)生組織國際癌癥研究機構(gòu)公布的致癌物清單中，磷化銦被列為2A類致癌物。
物化性質(zhì)
熔點：1070℃。纖鋅礦結(jié)構(gòu)，常溫下帶寬（Eg=1.35eV）。熔點下離解壓為2.75MPa。
溶解性：極微溶于無機酸。
介電常數(shù)：10.8
電子遷移率：4600cm2/(V·s)
空穴遷移率：150cm2/(V·s)
制備：具有半導體的特性。由金屬銦和紅磷在石英管中加熱反應制得。
用途
用作半導體材料，用于光纖通信技術(shù)。
參考資料 >
磷化銦.pubchem.2024-10-26
2類致癌物清單(共380種，含2A類81種，2B類299種).紹興市市場監(jiān)督管理局.2024-03-05