有效質(zhì)量，并不代表真正的質(zhì)量，而是代表能帶中電子受外力時(shí)，外力與加速度的一個(gè)比例系數(shù)（在準(zhǔn)經(jīng)典近似中，晶體電子在外力F*作用下具有加速度a*，所以參照牛頓第二定律定義的m*=F*/a*稱作慣性質(zhì)量）。
定義
負(fù)的有效質(zhì)量說明晶格對(duì)電子作負(fù)功，即電子要供給晶格能量，而且電子供給晶格的能量大于外場(chǎng)對(duì)電子作功。有效質(zhì)量概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用，使得在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運(yùn)動(dòng)規(guī)律時(shí)，可以不涉及內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用。概念：將晶體中電子的加速度與外加的作用力聯(lián)系起來，并且包含了晶體中的內(nèi)力作用效果。
區(qū)別
（一）一般情況下有效質(zhì)量是張量（一維情況和等能面為球形時(shí)，是標(biāo)量）。晶體電子的加速度一般與外力方向不同。只有外力沿著等能面主軸方向時(shí)，才是同向的。
（二）有效質(zhì)量一般是波矢K的函數(shù)。它可以大于慣性質(zhì)量，也可以小于慣性質(zhì)量，甚至可以是負(fù)的。例如在能帶底（極小值），m*>0；而在能帶頂（極大值），m*<0。
公式表示
Ft=MV′－MV0一般認(rèn)為作用后的瞬間V′近似零故上述公式可簡(jiǎn)化為Ft=－MV0（公式中的負(fù)號(hào)表示F、V0反向）
IV稱為有效質(zhì)量。如果移動(dòng)中不受阻力則所有質(zhì)點(diǎn)將完全偏聚在表面。由于金屬液體存在粘度于是第二相質(zhì)點(diǎn)不可避免地受到移動(dòng)阻力F
補(bǔ)充說明
（1）因?yàn)樵谝话愕妮d流子輸運(yùn)問題中，可以把晶體電子（或空穴）看成是具有動(dòng)量P= ?k（k是晶體電子的準(zhǔn)動(dòng)量）和能量E = P2/ 2m* 的粒子（量子波包），即認(rèn)為晶體電子是帶有質(zhì)量m*的自由粒子，m*就是晶體電子的有效質(zhì)量。這就是所謂準(zhǔn)經(jīng)典近似，即把晶體電子看作為具有一定有效質(zhì)量的經(jīng)典粒子（能量與動(dòng)量的平方成正比）。但是，終究有效質(zhì)量是一個(gè)量子概念，所以有效質(zhì)量不同于慣性質(zhì)量，它反映了晶體周期性勢(shì)場(chǎng)的作用(則可正可負(fù)，并可大于或小于慣性質(zhì)量)。有效質(zhì)量的大小與電子所處的狀態(tài)k有關(guān)，也與能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)（能帶越寬，有效質(zhì)量越小）；并且有效質(zhì)量只有在能帶極值附近才有意義，在能帶底附近取正值，在能帶頂附近取負(fù)值。
（2）對(duì)于立方晶系，為了讓電導(dǎo)率是一個(gè)標(biāo)量，可引入所謂電導(dǎo)率有效質(zhì)量；例如Si，導(dǎo)帶電子的電導(dǎo)率有效質(zhì)量mcn與導(dǎo)帶底的橫向有效質(zhì)量mt*和縱向有效質(zhì)量ml*的關(guān)系為mcn = 3ml*mt*/(2ml*+mt*)，價(jià)帶空穴的電導(dǎo)率有效質(zhì)量mcp與重空穴有效質(zhì)量mph*和輕空穴有效質(zhì)量mpl*的關(guān)系為mcp = ( mph*3/2+ mpl*3/2 ) / ( mph*1/2 + mpl*1/2 ) ≈ mph*。
（3）此外，為了方便討論導(dǎo)帶底不在Brillouin區(qū)中心的半導(dǎo)體（如Si）中載流子的能態(tài)密度函數(shù)，還引入了所謂狀態(tài)密度有效質(zhì)量。這種半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底等能面是旋轉(zhuǎn)橢球面，則其中電子的有效質(zhì)量不是一個(gè)分量（有一個(gè)縱向有效質(zhì)量ml*和兩個(gè)橫向有效質(zhì)量mt*）；這種非球形導(dǎo)帶底的能態(tài)密度分布函數(shù)比較復(fù)雜，但是如果把電子有效質(zhì)量代換為所謂態(tài)密度有效質(zhì)量mdn* =(ml* mt* mt*)1/3，則可以認(rèn)為它的能態(tài)密度分布函數(shù)與球形等能面的一樣。
對(duì)于有s個(gè)等價(jià)導(dǎo)帶底（能谷）的情況，電子的態(tài)密度有效質(zhì)量應(yīng)該更改為mdn* =(s2 ml* mt* mt*)1/3。對(duì)Si，s=6， mdn*=1.08m0，mdp*=0.59m0；對(duì)Ge，s=4，mdn*=0.56m0，mdp*=0.37m0，；對(duì)GaAs，等能面是球面，s=1，mdn* =m*。
類似地，對(duì)于價(jià)帶頂附近的情況，可同樣求得相同形式的能態(tài)密度分布函數(shù)，并且空穴的狀態(tài)密度有效質(zhì)量為mdp* = [ (mpl*)3/2 + (mph*)3/2 ]2/3。
有效質(zhì)量可以通過所謂回旋共振實(shí)驗(yàn)來直接進(jìn)行測(cè)量。因?yàn)楫?dāng)半導(dǎo)體處在恒定外磁場(chǎng)B中時(shí)，其中的載流子將作螺旋運(yùn)動(dòng)，回旋頻率為ωc = q B / mn*，所以只要測(cè)量出回旋頻率，即可得到有效質(zhì)量mn*；實(shí)驗(yàn)上，還在半導(dǎo)體上再加一個(gè)交變電磁場(chǎng)[頻率為微波~紅外光]，當(dāng)交變電磁場(chǎng)的頻率等于回旋頻率時(shí)即發(fā)生共振吸收，則測(cè)量出此共振頻率即可。
參考資料 >
載流子 的有效質(zhì)量.豆丁網(wǎng).2016-07-07