南亞科技股份有限公司成立于1995年，是臺塑企業旗下南亞塑膠轉投資公司。公司專注于動態隨機存取記憶體（DRAM）及晶圓代工兩大類別，擁有一座12晶圓廠，致力于DRAM之研發、設計、制造與銷售，并在美國、歐洲、日本、中國大陸設立海外行銷據點。南亞科技的最大股東為南亞塑膠，員工人數約2500人，總公司位于新北市泰山區南林科技園區。南亞科技多年來專注于研發及智慧財產權的建立，其品牌“南亞”已成為DRAM知名品牌之一，主要客戶遍及世界知名廠商。2021年第四季，南亞科技DRAM市占率3.1%，位居三星電子、SK海力士、美光科技三大廠商之后。2023年1月13日，《2022胡潤中國500強》發布，南亞科技排名第313位。2000年8月17日，南亞科技在臺灣證券交易所股票上市，股票代號為2408。
發展歷程
該公司資本額403億新臺幣，員工人數約4000人，總公司位于華亞科技園區，生產基地為一座八吋晶圓廠及一座十二吋晶圓廠，分別位于桃園南及泰山南林園區。南亞科技多年來專注于研發及智慧財產權的建立，并已培養近800人的研發團隊。
在制程進度上，南亞科技的42納米制程技術已于2010年第四季開始量產，計劃于2011年中全數可轉換至42納米(不包含部份為利基型內存產品線所保留的產能)，以2GbDDR3芯片生產為主，將于下半年導入4GbDDR3的產品。3X納米制程技術規劃將于今(2011)年第二季導入投片。南亞科技致力擁有自主技術及經營PB，并持續強化高附加價值利基型(非標準型)內存戰線，期能進一步提升臺灣DRAM產業在國際的競爭力。
為提升技術力與競爭力，南亞科技于2008年4月與美國美光公司(Micron)簽訂10年共同研發合約，共同致力于先進制程技術，開發更高附加價值產品。南亞科技與美國美光公司(Micron)簽訂50納米以下制程技術共同開發合約，自2008年12月起共同分享華亞科技的產出。華亞科技已于2010年第四季完成50納米技術轉換，并達產能滿載每月13萬片之投片。華亞科技計劃于2011年第一季開始42納米量產，且于2011年年中完成絕大多數的產能轉換。此策略聯盟，與美光共同研發，同時在臺灣培養本土的研發人才，使技術在臺生根，以達到永續經營的目標。
技術發展
南亞科技認知技術發展為經營內存產業的命脈，于2008年4月與美國美光(Micron)簽訂50納米以下制程與產品共同開發合作，共同致力于先進制程與產品的開發。50納米世代正在導入生產中，42納米預計2010年下半年開始量產，30納米正在研發中。我們與美光公司共同研發，同時在臺灣培養本土的研發人才，使技術在臺灣生根，以達到永續經營的目標。
質量政策
南亞科技深知企業欲永續生存，須以顧客導向作為經營基礎。我們將不斷地投注于制程技術的提升，與藉由有效的員工訓練，使文件、操作程序、原物料、制程環境、量測儀器、與制程控制等能趨于完整與一致，以求取更高的質量保證標準，提供更優質的服務。
「我們秉持追根究底、實事求是的精神，精益求精，以滿足客戶對產品質量、交期及服務的需求。」－－－連日昌總經理
質量承諾
提供滿足客戶對產品質量、交期及服務之需求為本公司對客戶之承諾與努力達成之目標，此一承諾與目標將依ISO9001及ISO/TS16949質量管理系統為最高指導原則及各部門作業之依據，透過全員參與使全體人員了解并貫徹實施質量政策
質量系統
為有效整合企業的組織、責任、程序、過程與資源等質量管理活動，作為達成既定政策及目標的手段，質量系統的建立，應滿足下列的功能發展：
質量系統能為公司員工（視各單位職能別）了解且有效運作。
提供滿足客戶的產品。
強調事前預防而非事后追查。
1994年
5月南亞塑料Inc.與日本沖電氣工業株式會社(OKI)簽訂16MbDRAM技術移轉合約。
1995年
1月晶圓一廠動土興建。
3月南亞科技正式成立于1995年3月4日。
4月與日本沖電氣株式會社(OKI)、南亞塑料股份有限公司簽訂三方面備忘錄，承接原南亞塑料與OKI16MbDRAM技術案之所有權利義務。
1996年
7月16MbDRAM試產成功。
10月正式銷售開始。
11月與日本沖電氣株式會社(OKI)簽訂0.36~0.32微米(μm)64MbDRAM技術授權合約投資于美國硅谷成立產品設計公司GSI。
1997年
6月獲得勞氏ISO-9002品質認證。
7月南亞科技美國分公司ntcUSA成立。
8月64MbDRAM投片試產。
1998年
4月晶圓二廠動土興建。
11月與IBM公司簽訂0.2~0.175微米(μm)64~256MbDRAM技術移轉合約公司單月營業額突破新臺幣10億元。
12月獲得勞氏ISO-14001環境系統管理認證成立美國德州休斯敦產品設計中心。
1999年
10月0.20微米(μm)64MbSDRAM開始量產。
2000年
2月晶圓二廠開始投片試產。
8月128MbSDARM及DDRDRAM試產成功。
8/17南亞科技正式在臺灣掛牌上市。
10月與IBM公司簽訂0.14/0.11微米(μm)共同研發合約。
12月二廠獲得勞氏公司ISO-9001品質認證。
2001年
1月通過IBMTier1質量系統驗證。
5月與SST公司簽訂0.25/0.18微米(μm)代工及高階閃存共同研發合約。
6月全面量產0.175微米(μm)128Mb/256MbDRAM。
2002年
4月成立南亞科技(香港)Inc.。
9月成立日本東京分公司。
11月與德國英飛凌簽訂0.09/0.07微米共同研發技術合約，并合資設立12吋晶圓廠「華亞科技」。
12月華亞科技破土典禮。
二廠獲ISO-14001認證。
一廠＆二廠獲OHSAS18001認證。
2003年
1月成立德國分公司。
成立昆山辦事處。
12月華亞科技正式裝機典禮。
2004年
5月南亞科技通過DDR2產品IntelAVL認證。
10月華亞科技月產能達到24,000片，以0.11mn制程技術為主。
12月90納米DDR2開始投片試產。
2005年
4月高階服務器用DDR2內存模塊通過國際大廠認證，進軍服務器用內存市場。
華亞科技上興柜掛牌。
5月華亞科技第二座12吋晶圓廠動土。
6月90納米技術研發成功并通過認證。
9月與英飛凌簽訂60納米共同研發技術合約。
2006年
3月第一座十二吋廠，晶圓三廠動土興建。
9月70/75納米(與奇夢達共同研發)技術成功通過認證。
10月南亞科（上海）科技貿易限公司成立。
2007年
3月三A廠無塵室興建。
5月三A廠機臺設備Move-in。
10月90納米制程量產。
2008年
4月與美光科技簽署共同研發技術合約。
11月南科3A廠70納米制程達到第一期全產能3萬4千片。
12月南科三廠通過英國勞氏(Lloyd’s)ISO14001環境管理系統認證及OHSAS18001安全衛生管理系統認證。
2009年
6月完成減資66%并增資新臺幣122億元，增資后資本額為臺幣257億元。
6月導入68納米堆棧式制程技術生產1GbDDR3產品。
7月導入50納米堆棧式制程技術生產1GbDDR3產品。
12月完成現金增資新臺幣160億元，增資后資本額為新臺幣340億元。
2010年
7月7月5日成功試產42納米制程技術。
10月42納米制程技術于第4季開始量產。
12月完成現金增資新臺幣99億元，增資后資本額為新臺幣403億元。
公司文化
經營理念
「技術生根，永續經營」
致力于先進技術與產品的開發。同時在臺灣培養本土的研發人才，使技術在臺灣生根，永續發展。
充分利用已開發完成的先進制程技術，提升產品的價值，達到求取最大獲利的目標。
經營策略
經營目標:
身成為世界一流DRAM內存及相關產品制造服務供貨商，以兩位數的全球市場占有率為目標。
南亞科技除鞏固其在標準型內存市場市占率外，更積極經營利基型（非標準型）內存市場，包括服務器用內存、消費型內存及行動式內存(MobileRAM)三大核心產品線的研發、生產及銷售。在服務器用內存及消費型內存領域已有優異成績表現，且行動式內存領域正逐漸茁壯。預期這些高附加價值產品在2011年占總營業額比重可提高至三成以上，可為南科銷售量帶來逐月成長，且期許2012年能挑戰營收過半的策略目標。非標準型內存利潤較高且市場穩定，屬高附加價值的產品，南科致力強化該內存戰線，期能進一步提升臺灣DRAM產業在國際的競爭力。
經營策略:
秉持臺塑企業「追根究，實事求是」之經營理念，南科致力于擁有自主技術及經營PB。
南科與美光采共同研發，目標在2012年達到自主研發目標。
南科長期經營自有品牌，品牌銷售占出貨量超過90%，其中法蘭茜客戶(如聯想、宏碁、華碩、HP、戴爾股份有限公司等)占75%，且在供貨商評比中名列前茅。
在臺灣設立制程技術研發中心，與技術伙伴美光同步研發，并以最先進的技術，于最大的生產基地量產，獲得最大利益。
獲得榮譽
2023年1月13日，《2022胡潤中國500強》發布，南亞科技排名第313位。
2024年8月13日，《2023胡潤中國500強》發布，南亞科技排名第253位。
2026年2月5日，2025胡潤中國500強發布，南亞科技排名第135位。
參考資料 >
2022年胡潤中國500強.胡潤百富.2023-01-16
2023胡潤中國500強.胡潤百富.2024-11-15
2023年 · 胡潤中國500強.胡潤百富.2024-11-15
河南民企“一哥”換人！最新中國500強發布（榜單）.今日頭條.2026-02-09