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來源：互聯網

林蘭英（1918年2月7日—2003年3月4日），女，福建莆田人，博士畢業于美國賓夕法尼亞大學，半導體材料科學家，中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。曾任中國科學院半導體研究所副所長，被譽為“中國半導體材料之母”、“中國太空材料之母”。

林蘭英于1940年從福建協和大學畢業后留校任教；1948年赴美留學，進入賓夕法尼亞州狄金森學院數學系學習；1949年獲得迪金森學院數學學士學位，同年進入賓夕法尼亞大學研究生院進行固體物理的研究，先后獲得碩士、博士學位；1955年博士畢業后進入長島的索菲尼亞公司擔任高級工程師進行半導體研究；1957年1月回到中國，并進入中國科學院物理研究所工作；1960年中國科學院半導體研究所成立后，林蘭英擔任該所研究員；1977年至1983年擔任中國科學院半導體研究所副所長；1980年當選為中國科學院院士（院士），2003年3月4日在北京逝世，享年85歲。

林蘭英主要從事半導體材料制備及物理的研究，是我國半導體科學事業開拓者之一。林蘭英先后負責研制成中國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，以及鍺單晶，為中國微電子和光電子學的發展奠定了基礎，負責研制的高純度汽相和液相外延材料達到國際先進水平，在開拓我國太空砷化鎵單晶材料的實驗和特性研究方面，有著突出貢獻，極大推進了我國半導體材料的研究高度，并開創了中國微重力半導體材料科學研究新領域。

林蘭英代表著作有《林蘭英論文選》。根據2021年6月《莆田僑鄉時報》顯示，林蘭英先后四次獲得中國科學院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科技進步二、三等獎，并獲得何梁何利基金科學與技術進步獎、霍英東成就獎等榮譽。

人物生平

早年與教育經歷

1918年2月7日，林蘭英出生于福建莆田市的一個名門望族，祖上是明朝的御史林潤。林蘭英的祖父經商有成，父親大學畢業后在外地工作，母親在家主持家政。1930年，在莆田礪青中學校長彭介之的幫助下，林蘭英被保送入礪青中學，之后因連任年級第一名六個學期而免除學雜費。1933年，初中畢業后，林蘭英考入莆田中學高中部，次年轉學至咸益中學，在高中六個學期均是年級第一。1936年，林蘭英考入福建協和大學物理系，1940年，以優秀畢業生的身份留校任教，教授《普通物理學》《高等數學》《光學》《物性聲學》《電磁學》等課程。1944年，林蘭英晉升為講師。任教期間，林蘭英因編寫《光學實驗課程》的教科書任職講師。1948年林蘭英赴美留學，進入美國賓夕法尼亞州的迪金森學院數學系學習，次年，獲得迪金森學院數學學士學位，并提前三年獲得美國大學榮譽學會迪金森分會獎勵的一枚金鑰匙，同年，林蘭英懷著“一切都應該服從祖國建設事業的迫切需要”的想法改學物理專業，進入賓夕法尼亞大學研究生院，開始進行固體物理的研究。1951年，獲得碩士學位后，林蘭英師從米勒攻讀博士學位。1955年6月，林蘭英憑借論文《弱X射線輻照引起氯化鉀和氯化鈉晶體的膨脹》獲得博士學位，該論文發表于美國物理學界最具權威的《物理評論》雜志，林蘭英是賓夕法尼亞大學建校215年以來，第一位獲得博士學位的中國人，也是該校有史以來的第一位女博士。

工作與科研經歷

獲得博士學位后，經導師米勒的推薦，林蘭英入職美國索菲尼亞公司擔任高級工程師，開始從事半導體材料的研究，在林蘭英杰出的科學分析指導下,公司成功地造出了第一根硅單晶,并獲得了兩項專利。之后，她發表的《硅的歐姆接觸的制備》《鍺和硅的載流子抽出電極的制備》等論文，因具有學術意義和應用價值而被美國當局列為專利技術。公司三次提高年薪，林蘭英回國時索菲尼亞公司已經給予年薪10000美元，回國后每月收入207元人民幣，僅是美國月工資的三十分之一，但她還是毅然選擇回國，1956年6月，林蘭英以“母親重病”為由，向印度駐美國大使館提交回國申請，9月使館通知她填寫有關回國事宜的表格。之后由大弟林文豪送她經上海去北京，進入中國科學院物理研究所工作，歷任研究員，副所長。林蘭英帶著半導體新材料回國后，進入中國科學院應用物理所工作并拉制成功第一根鍺單晶，1958年初，中國的半導體收音機誕生了；那年中華人民共和國國慶節前夕，又研制成功了中國第一根硅單晶，這也使中國成為世界上第三個生產出硅單晶的國家。1961年，在林蘭英主持設計下，成功制造出中國第一臺開門式硅單晶爐。次年，林蘭英利用開門式硅單晶爐，成功拉制成中國第一根無位錯的硅單晶，無位錯達國際先進水平，同年，林蘭英將研究方向轉向新型材料砷化鎵，并成功拉制出可用于微電子領域和光電子領域的砷化鎵單晶，為1964年我國第一只砷化鎵二極管激光器的成功問世提供了條件。

1966年，具有出色科研成績的林蘭英與我國第一位女院士林巧稚一起登上天安門城樓，參加國慶觀禮。1973年，林蘭英首次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化鎵單晶，砷化鎵汽相外延電子遷移率長期處于國際領先地位。1977年，林蘭英擔任了半導體研究所的副所長，次年，為了發展我國大規模集成電路，林蘭英開始進行“提高硅單晶質量的研究”，并任研究組組長，在她率領下，小組著力于硅單晶中微缺陷——主要是漩渦缺陷的本質、形成機理及消除辦法的研究。經過兩年多的摸索和探求，最終直拉無位錯、無漩渦硅單晶的成品率可達80%，而且采取某些技術措施，降低了體層錯密度。1979年，林蘭英加入中國共產黨，同年，在她的領導下，研究組研制出無位錯、無旋渦、低層錯密度、低碳含量和高少子壽命的硅單晶。1980年，林蘭英當選為中國科學院學部委員。1981年，林蘭英在我國首次研制成功了16千位、64千位的大規模集成電路——硅柵MOS隨機存儲器的研制并因此獲得中國科學院重大科技成果一等獎；1986年，林蘭英參加德國空間材料科學研討會歸來，對尋求國際合作開展太空生長化鎵單晶研究感到失望，決定利用我國的返回式人造衛星，自力更生地發展我國的空間材料科學。1987年，林蘭英利用我國發射的返回式衛星，采用降溫凝固法成功從熔體中生長出砷化鎵單晶，證明了我國從事太空熔體生長砷化鎵單晶的研究工作居國際領先地位。? 次年，在林蘭英領導下，聯合研究組再次在返回式衛星上成功進行了摻硅砷化鎵的無坩堝區熔法的單晶生長試驗，并利用這種空間材料制得了室溫連續相干雙異質結激光器，證明了空間材料的可用性，在國際上屬于第一次。1990年，由林蘭英組織指導的研制組，又對廣泛用于高技術領域的半絕緣砷化鎵單晶成功進行了太空重熔生長單晶試驗。三年間，林蘭英利用返回式人造衛星成功進行砷化鎵單晶太空生長實驗3次，并研制出半導體激光器，因此被稱為“中國半導體材料之母”。1989年7月，受美國航空航天局的邀請，林蘭英參加國際宇航會議并作中國利用人造衛星進行半導體材料研制試驗的報告，引起了各國專家的關注。

患病與逝世

2003年3月4日13時36分，林蘭英因肺癌轉移至腦，在北京逝世，享年85歲。

任職經歷

此外，林蘭英還擔任了中華人民共和國第四、五、六、七屆全國人民代表大會代表，第三、七、八屆全國人大常委會委員，第二、三、四屆中國科學技術協會副主席等

主要成就

科研成果

半導體鍺硅單晶、單晶爐和無位錯硅單晶的研制

1957年，林蘭英拉制成功第一根鍺單晶，次年，又拉制成功第一根硅單晶，為我國微電子學和光電子學的發展奠定了基礎，這也使中國成為世界上第三個生產出硅單晶的國家。林蘭英仔細考察、分析了蘇聯封閉式硅單晶爐，發現了不足，開始研究設計中國式硅單晶爐，而且在1961年，成功制造出中國第一臺開門式硅單晶爐，并利用開門式硅單晶爐，次年成功拉制成中國第一根無位錯的硅單晶，無位錯達國際先進水平。

化合物半導體晶體的研制

1960年以來，林蘭英決定將半導體材料研究室的研究從單一元素半導體材料逐步拓展到兩元或以上的化合物半導體材料。研究的品種結構，由化合物到外延層，由一層外延逐步擴展到多層外延，由同質外延逐步擴展到異質外延。分別進行了高純度銻化銦單晶、砷化鎵單晶等方面的研究，之后，由林蘭英首次提出用汽相外延和液相外延制取砷化鎵單晶，成功研制出質量好、純度高的砷化鎵單晶材料，砷化鎵汽相外延電子遷移率長期處于國際領先地位。

開創了太空砷化鎵單晶材料的研究

1987年到1990年期間，以林蘭英為領導的研究組利用返回式人造衛星進行砷化鎵單晶太空生長實驗數次并均取得了成功，開創了中國微重力半導體材料科學研究新領域，并在砷化鎵晶體太空生長和性質研究方面取得了世人矚目的成績。

主要論文

書籍作品

榮譽獎項

科研獎項

個人榮譽

參考資料：

軼事

毅然歸國

1955年，林蘭英博士畢業后，放棄了美國的工作環境和優越的生活條件，林蘭英謝絕了公司的挽留并沖破美國有關部門的阻撓，以母親病重為由，在印度駐美大使館的幫助下，辦理了回國手續。在簡單的行李中，林蘭英攜帶了鍺單晶和硅單晶，為中國半導體后續發展助力。

絕食抗爭

莆田市舊時有重男輕女之風，家中孩子多，身為長女的林蘭英6歲時就為全家煮飯，閑時做刺繡補貼家用。到了讀書年紀，母親不想讓林蘭英進學堂，林蘭英以絕食抗爭，一連三天粒米未進，終為自己獲得了進學堂的機會，前提是家務必須做，每天林蘭英要早起床為全家做早餐，晚上放學回來也要先做家務再做作業，那時林蘭英每天只睡6個小時，但學習上林蘭英出類拔萃，屢獲第一。

戲劇性相遇

林蘭英開始進行砷化鎵研究時，試圖通過國際合作開展太空砷化鎵單晶的生產合作，1986年，在空間科學研討會上，德方專家對我國的技術力量極為不屑。林蘭英決定利用我國的返回式人造衛星，自力更生開展這一研究工作。從1987年到1990年，林蘭英成功進行砷化鎵單晶太空生長實驗3次并用它研制成半導體激光器。1989年7月，在美國國家航空航天局的邀請下，林蘭英前往參加國際宇航會議并作中國利用人造衛星進行半導體材料研制試驗的報告，曾經出言諷刺我們的德國專家走過來握著林蘭英的手，驚訝地對她表示祝賀。這是一次戲劇性的相遇，兩人的處境已經發生了微妙的變化。林蘭英的絲毫沒有輕視對方并希望日后能有機會進行交流合作。

人才培養

林蘭英在為中國太空事業等做出巨大貢獻的同時，在教育方面，還培養了包括吳德馨、王占元在內的大批優秀科研工作者。

其中，吳德馨，中國科學院院士，先后在中國成功研究出了硅平面型高速開關晶體管、介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路等成果。

影響與評價

中國科學院院士師昌緒說：“林蘭英先生非常直率，大公無私，這就是她的性格，她非常樂意接受真理，很容易與人達成共識，我們非常佩服她的為人。林先生是我國半導體材料領域的奠基人。她的最大貢獻在砷化鎵領域，在她的帶領下，我國砷化研究達到國際先進水平，特別是在空間環境中生長砷化鎵單晶，為國際最早開展研究的國家。”

中國科學院院士吳德馨這樣說“林先生任人唯賢，對人絕無親疏之分。她對別人的缺點直率而真誠地提出，對優點毫無偏見地提出表揚。她的思想中閃爍著集體主義思想的光芒，一心為公，從無小集團利益”。

中國科學院院士、中國科學院半導體研究所原所長王啟明說道“林先生說過，科學家只有努力創造出科技成果才能為祖國贏得榮譽和尊重，當年我們在空間半導體材料落后的時候，中國科學家遭遇外國人的傲慢和歧視，而當我們取得突破性進展，外國人就不敢小我們了”“在我半個世紀的成長歷程中，林蘭英先生那和藹、慈祥的教誨，那誨人不倦、諄諄教導、言傳身教、關愛后輩的品質，一直指引著我努力前進的方向。”

狄金森學院數學系主任埃爾贊嘆林蘭英：“這是一個不可多得的東方才女”。

莆田僑鄉時報：林蘭英的工作極大地推進了中國半導體材料的研究高度，為微電子和光電子學的發展奠定了基礎，為中國太空事業做出巨大貢獻。

海峽都市報評：林蘭英是中國半導體材料科技最著名的開拓者，她帶動同事一起創造了多個“新中國的第一”，受到全世界科學家關注，被譽為“中國太空材料之母”。

后世紀念

林蘭英故居：原樣始建于隆慶二年（1568年），位于莆田市市區下務巷。2002年，因莆田舊城改造，林潤故居原樣遷移到莆田城南鄉溝頭村的莆田一中新校區。林蘭英去世后，骨灰從北京運至林潤故居內埋葬并建立林蘭英陵園。林蘭英的所有書籍和家具也運回莆田故居，陳列在林潤故居內。2005至2006年，已列為莆田市重點文物保護單位的故居進行全面整修，煥然一新。

紀念林蘭英院士逝世十周年座談會：2013年，?中國科學院半導體研究所在林蘭英逝世10周年之際，在研究所學術會議中心召開紀念林蘭英院士逝世十周年座談會。中國科學院半導體研究所所長、黨委書記李深院士，王占國院士，王坪院士，半導體研究所副書記、副所長張春先，所長助理楊富華，照明中心主任李晉閩，材料重點實驗室主任劉峰奇，光電子研發中心主任黃永箴等 70 余人參加了座談會。座談會由半導體研究所所長李樹深主持。

《林蘭英院士紀念文集》：?2013年，?中國科學院半導體研究所在林蘭英院士逝世十周年之際，為表達對林蘭英院士的思念之情和敬仰之意，學習老一輩科學家的高尚品德和創新精神，制作了《林蘭英院士紀念文集》。

林蘭英院士塑像：2004年，林蘭英院士塑像揭幕儀式在莆田一中舉行。中科院半導體研究所所長李晉閩及莆田市有關領導、部分科技專家、教師和學生共數千人參加了揭幕儀式。

參考資料 >

已故院士名單.中國科學院學部.2023-04-01

林蘭英.福建省數字科技館.2023-04-15

攀登科學高峰的赤子心 ——記歸僑院士、中國半導體材料科學的奠基人和開拓者林蘭英.莆田僑鄉時報.2023-03-31

歷任領導.中國科學院半導體研究所.2023-04-22

林蘭英：被稱為中國半導體材料之母.中國科學院.2023-03-26

學部簡介.中國科學院學部.2023-03-26

林蘭英.中國科學院學部.2023-03-26

林蘭英:我國半導體材料科學的開拓者.中國海峽人才網.2023-04-09

先鋒故事.中國科學院.2023-04-01