雙極性晶體管是指：電子和空穴兩種載流子都起作用的晶體管，又稱(chēng)結(jié)型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。
雙極性晶體管有三個(gè)區(qū)域：基區(qū)（B），發(fā)射區(qū)（E）和集電區(qū)（C）。其通過(guò)在基區(qū)輸入的微小電流控制涌入發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間的更大電流，雙極性晶體管可以用來(lái)放大信號(hào)或者作為開(kāi)關(guān)使用。
雙極型晶體管比電子管體積小、重量輕、耗電少、壽命長(zhǎng)、可靠性高、已逐步取代電子管。雙極型晶體管已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制裝置、電子儀器、家用電器等各個(gè)領(lǐng)域。
簡(jiǎn)介
雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革命意義的一項(xiàng)發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓被授予了1956年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
這種晶體管的工作，同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此它被稱(chēng)為雙極性的，所以也稱(chēng)雙極性載子晶體管。這種工作方式與諸如場(chǎng)效應(yīng)管的單極性晶體管不同，后者的工作方式僅涉及單一種類(lèi)載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。
雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。以NPN晶體管為例，按照設(shè)計(jì)，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子，通過(guò)擴(kuò)散作用運(yùn)動(dòng)到基極。在基極區(qū)域，空穴為多數(shù)載流子，而電子少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過(guò)漂移運(yùn)動(dòng)到達(dá)集電極，從而形成集電極電流，因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設(shè)備。
雙極性晶體管能夠放大信號(hào)，并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用來(lái)構(gòu)成放大器電路，或驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、電動(dòng)機(jī)等設(shè)備，并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。
發(fā)展應(yīng)用
1947年12月，貝爾實(shí)驗(yàn)室的約翰·巴丁、沃爾特·布拉頓在威廉·肖克利的指導(dǎo)下共同發(fā)明了點(diǎn)接觸形式的雙極性晶體管。1948年，肖克利發(fā)明了采用結(jié)型構(gòu)造的雙極性晶體管。在其后的大約三十年時(shí)間內(nèi)，這種器件是制造分立元件電路和集成電路的不二選擇。
早期的晶體管是由鍺制造的。在1950年代和1960年代，鍺晶體管的使用多于硅晶體管。相對(duì)于硅晶體管，鍺晶體管的截止電壓更小，通常約0.2伏特，這使得鍺晶體管適用于某些應(yīng)用場(chǎng)合。在晶體管的早期歷史中，曾有多種雙極性晶體管的制造方法被開(kāi)發(fā)出來(lái)。
鍺晶體管的一個(gè)主要缺點(diǎn)是它容易產(chǎn)生熱失控。由于鍺的禁帶寬度較窄，并且要穩(wěn)定工作則要求的溫度相對(duì)硅半導(dǎo)體更嚴(yán)，因此大多數(shù)現(xiàn)代的雙極性晶體管是由硅制造的。采用硅材料的另一個(gè)重要原因是硅在地球上的儲(chǔ)量比鍺豐富得多（僅次于氧）。
后來(lái)，人們也開(kāi)始使用以砷化鎵為代表的化合物來(lái)制造半導(dǎo)體晶體管。化鎵的電子遷移率為硅的5倍，用它制造的晶體管能夠達(dá)到較高的工作頻率。此外，砷化鎵熱導(dǎo)率較低，有利于高溫下進(jìn)行的加工。化合物晶體管通常可以應(yīng)用于高速器件。
雙極性晶體管能夠提供信號(hào)放大，它在功率控制、模擬信號(hào)處理等領(lǐng)域有所應(yīng)用。此外，由于基極-發(fā)射極偏置電壓與溫度、電流的關(guān)系已知，雙極性晶體管還可以被用來(lái)測(cè)量溫度。根據(jù)基極-發(fā)射極電壓與基極-發(fā)射極和集電極-發(fā)射極電流的對(duì)數(shù)關(guān)系，雙極性晶體管也能被用來(lái)計(jì)算對(duì)數(shù)或求自然對(duì)數(shù)的冪指數(shù)。
隨著人們對(duì)于能源問(wèn)題的認(rèn)識(shí)不斷加深，場(chǎng)效應(yīng)管（如CMOS）技術(shù)憑借更低的功耗，在數(shù)字集成電路中逐漸成為主流，雙極性晶體管在集成電路中的使用由此逐漸變少。但是應(yīng)當(dāng)看到，即使在現(xiàn)代的集成電路中，雙極性晶體管依然是一種重要的器件，市場(chǎng)上仍有大量種類(lèi)齊全、價(jià)格低廉的晶體管產(chǎn)品可供選擇。與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET，它是場(chǎng)效應(yīng)管的一種，另一種為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）相比，雙極性晶體管能提供較高的跨導(dǎo)和輸出電阻，并具有高速、耐久的特性，在功率控制方面能力突出。因此，雙極性晶體管依舊是組成模擬集成電路，尤其是甚高頻應(yīng)用電路（如無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中的射頻電路）的重要配件。雙極性晶體管可以通過(guò)BiCMOS技術(shù)與和MOSFET制作在一塊集成電路上，這樣就可以充分利用兩者的優(yōu)點(diǎn)（如雙極性晶體管的電流放大能力和場(chǎng)效應(yīng)管的低功耗特點(diǎn)）
基本原理
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。在沒(méi)有外加電壓時(shí)，發(fā)射結(jié)N區(qū)的電子（這一區(qū)域的多數(shù)載流子）濃度大于P區(qū)的電子濃度，部分電子將擴(kuò)散到P區(qū)。同理，P區(qū)的部分空穴也將擴(kuò)散到N區(qū)。這樣，發(fā)射結(jié)上將形成一個(gè)空間電荷區(qū)（也成為耗盡層），產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)在的電場(chǎng)，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，這個(gè)電場(chǎng)將阻礙上述擴(kuò)散過(guò)程的進(jìn)一步發(fā)生，從而達(dá)成動(dòng)態(tài)平衡。這時(shí)，如果把一個(gè)正向電壓施加在發(fā)射結(jié)上，上述載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和耗盡層中內(nèi)在電場(chǎng)之間的動(dòng)態(tài)平衡將被打破，這樣會(huì)使熱激發(fā)電子注入基極區(qū)域。在NPN型晶體管里，基區(qū)為P型摻雜，這里空穴為多數(shù)摻雜物質(zhì)，因此在這區(qū)域電子被稱(chēng)為“少數(shù)載流子”。
從發(fā)射極被注入到基極區(qū)域的電子，一方面與這里的多數(shù)載流子空穴發(fā)生復(fù)合，另一方面，由于基極區(qū)域摻雜程度低、物理尺寸薄，并且集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，大部分電子將通過(guò)漂移運(yùn)動(dòng)抵達(dá)集電極區(qū)域，形成集電極電流。為了盡量緩解電子在到達(dá)集電結(jié)之前發(fā)生的復(fù)合，晶體管的基極區(qū)域必須制造得足夠薄，以至于載流子擴(kuò)散所需的時(shí)間短于半導(dǎo)體少數(shù)載流子的壽命，同時(shí)，基極的厚度必須遠(yuǎn)小于電子的擴(kuò)散長(zhǎng)度（diffusion length，參見(jiàn)菲克定律）。在現(xiàn)代的雙極性晶體管中，基極區(qū)域厚度的典型值為十分之幾微米。需要注意的是，集電極、發(fā)射極雖然都是N型摻雜，但是二者摻雜程度、物理屬性并不相同，因此必須將雙極性晶體管與兩個(gè)相反方向二極管串聯(lián)在一起的形式區(qū)分開(kāi)來(lái)。
分類(lèi)
眾所周知，按極性可以分為PNP和NPN兩種，按材料一般可以分為硅管和鍺管，按額定功率分為大功率
和小功率，按封裝可以分為貼片和插件，等等。
目前車(chē)載電子系統(tǒng)中，常用的是小功率硅管，為減小體積多用貼片封裝。
應(yīng)用
集電極-發(fā)射極電流可以視為受基極-發(fā)射極電流的控制，這相當(dāng)于將雙極性晶體管視為一種“電流控制”的器件。還可以將它看作是受發(fā)射結(jié)電壓的控制，即將它看做一種“電壓控制”的器件。事實(shí)上，這兩種思考方式可以通過(guò)基極-發(fā)射極結(jié)上的電流電壓關(guān)系相互關(guān)聯(lián)起來(lái)，而這種關(guān)系可以用PN結(jié)的電流電壓曲線(xiàn)表示。
從基極區(qū)域的少數(shù)載流子濃度出發(fā)，可以解釋集電極的載流子流動(dòng)。如果雙極性晶體管為小注入（low level injection），即通過(guò)某些物理過(guò)程（如光注入或電注入）引入的非平衡載流子（excess carrier，或稱(chēng)“過(guò)剩載流子”）比熱平衡時(shí)的多數(shù)載流子少得多，雙極性擴(kuò)散（即非平衡多數(shù)載流子和少數(shù)載流子以相同速率流動(dòng)）速率實(shí)際上由非平衡少數(shù)載流子決定。另外，雙極性晶體管處理高頻信號(hào)的能力還受限于基極區(qū)域載流子的渡越時(shí)間。
人們?cè)?jīng)建立過(guò)多種數(shù)學(xué)模型，用來(lái)描述雙極性晶體管的具體工作原理。例如，古梅爾–潘模型（Gummel–Poon Model）提出，可以利用電荷分布來(lái)精確地解釋晶體管的行為。上述有關(guān)電荷控制的觀(guān)點(diǎn)可以處理有關(guān)光電二極管的問(wèn)題，這種二極管基極區(qū)域的少數(shù)載流子是通過(guò)吸收光子（即上一段提到的光注入）產(chǎn)生的。電荷控制模型還能處理有關(guān)關(guān)斷、恢復(fù)時(shí)間等動(dòng)態(tài)問(wèn)題，這些問(wèn)題都與基極區(qū)域電子和空穴的復(fù)合密切相關(guān)。然而，由于基極電荷并不能輕松地在基極引腳處觀(guān)察，因此，在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)、分析中，電流、電壓控制的觀(guān)點(diǎn)應(yīng)用更為普遍。
在模擬電路設(shè)計(jì)中，有時(shí)會(huì)采用電流控制的觀(guān)點(diǎn)，這是因?yàn)樵谝欢ǚ秶鷥?nèi)，雙極性晶體管具有近似線(xiàn)性的特征。在這個(gè)范圍（下文將提到，這個(gè)范圍叫做“放大區(qū)”）內(nèi)，集電極電流近似等于基極電流的倍，這對(duì)人們分析問(wèn)題、控制電路功能有極大的便利。在設(shè)計(jì)有的基本電路時(shí)，人們假定發(fā)射極-基極電壓為近似恒定值（如），這時(shí)集電極電流近似等于基極電流的若干倍，晶體管起電流放大作用。
然而，在真實(shí)的情況中，雙極性晶體管是一種較為復(fù)雜的非線(xiàn)性器件，如果偏置電壓分配不當(dāng)，將使其輸出信號(hào)失真。此外，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。為了設(shè)計(jì)出精確、可靠的雙極性晶體管電路，必須采用電壓控制的觀(guān)點(diǎn)（例如后文將講述的艾伯斯-莫爾模型）。電壓控制模型引入了一個(gè)指數(shù)函數(shù)來(lái)描述電壓、電流關(guān)系，在一定范圍內(nèi)，函數(shù)關(guān)系為近似線(xiàn)性，可以將晶體管視為一個(gè)電導(dǎo)元件。這樣，諸如差分放大器等電路的設(shè)計(jì)就簡(jiǎn)化為了線(xiàn)性問(wèn)題，所以近似的電壓控制觀(guān)點(diǎn)也常被選用。對(duì)于跨導(dǎo)線(xiàn)性（translinear）電路，研究其電流電壓曲線(xiàn)對(duì)于分析器件工作十分關(guān)鍵，因此通常將它視為一個(gè)跨導(dǎo)與集電極電流成比例的電壓控制模型。
目前，晶體管級(jí)別的電路設(shè)計(jì)主要使用集成電路通用模擬程序或其他類(lèi)似的模擬集成電路仿真器進(jìn)行，因此對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，模型的復(fù)雜程度并不會(huì)帶來(lái)太大的問(wèn)題。但在以人工分析模擬電路的問(wèn)題時(shí)，并不總能像處理經(jīng)典的電路分析那樣采取精確計(jì)算的方法，因而采用近似的方法是十分必要的。
功率參數(shù)
雙極性晶體管的最大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的最大功率。在條件相同的情況下，如果實(shí)際功率大于這一數(shù)值，晶體管的溫度將超出最大許可值，使器件性能下降，甚至造成物理?yè)p壞。
極限電流極限電壓
當(dāng)集電極電流增大到一定數(shù)值后，雖然不會(huì)造成雙極性晶體管的損壞，但是電流增益會(huì)明顯降低。為了使晶體管按照設(shè)計(jì)正常工作，需要限制集電極電流的數(shù)值。除此之外，由于雙極性晶體管具有兩個(gè)PN結(jié)，因此它們的反向偏置電壓不能夠過(guò)大，防止PN結(jié)反向擊穿。雙極性晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)都會(huì)詳細(xì)地列出這些參數(shù)。
當(dāng)功率雙極性晶體管集電極的反向偏置電壓超過(guò)一定數(shù)值，并且流經(jīng)晶體管的電流超出在一定允許范圍之內(nèi)，使得晶體管功率大于二次擊穿臨界功率就會(huì)產(chǎn)生一種被稱(chēng)為“二次擊穿”的危險(xiǎn)現(xiàn)象。在這種情況里，超出設(shè)計(jì)范圍的電流將造成器件內(nèi)部不同區(qū)域的局部溫度不均衡，部分區(qū)域的溫度高于其他區(qū)域。因?yàn)閾诫s的硅具有負(fù)的溫度系數(shù)（溫度 系數(shù)），所以當(dāng)它處于較高的溫度時(shí)，其導(dǎo)電性能更強(qiáng)。這樣，較熱部分就能傳導(dǎo)更多的電流，這部分電流會(huì)產(chǎn)生額外的熱能，造成局部溫度將超過(guò)正常值，以致于器件不能正常工作。二次擊穿是一種熱失控，一旦溫度升高，電導(dǎo)率將進(jìn)一步提升，從而造成惡性循環(huán)，最終嚴(yán)重?fù)p毀晶體管的結(jié)構(gòu)。整個(gè)二次擊穿過(guò)程只需要毫秒或微秒量級(jí)的時(shí)間就可以完成。
如果雙極性晶體管發(fā)射結(jié)提供超出允許范圍的反向偏置，并不對(duì)流經(jīng)晶體管的電流進(jìn)行限制，發(fā)射結(jié)將發(fā)生雪崩擊穿，也會(huì)造成器件損壞。
溫度漂移
作為一種模擬的器件，雙極性晶體管的所有參數(shù)都會(huì)不同程度地受溫度影響，特別是電流增益。據(jù)研究，溫度每升高1攝氏度，大約會(huì)增加0.5%到1%。
抗輻射能力
雙極性晶體管對(duì)電離輻射較為敏感。如果將晶體管置于電離輻射的環(huán)境中，器件將因輻射而受到損害。產(chǎn)生損害是因?yàn)檩椛鋵⒃诨鶚O區(qū)域產(chǎn)生缺陷，這種缺陷將在能帶中形成復(fù)合中心（recombination centers）。這將造成器件中起作用的少數(shù)載流子壽命變短，進(jìn)而使晶體管的性能逐漸降低。NPN型雙極性晶體管由于在輻射環(huán)境中，載流子的有效復(fù)合面積更大，受到的負(fù)面影響比PNP型晶體管更顯著。在一些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合，如核反應(yīng)堆或航天器中的電子控制系統(tǒng)中，必須采用特殊的手段緩解電離輻射帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng)。
結(jié)構(gòu)
一個(gè)雙極性晶體管由三個(gè)不同的雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)域組成，它們分別是發(fā)射極區(qū)域、基極區(qū)域和集電極區(qū)域。這些區(qū)域在NPN型晶體管中分別是N型、P型和N型半導(dǎo)體，而在PNP型晶體管中則分別是P型、N型和P型半導(dǎo)體。每一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域都有一個(gè)引腳端接出，通常用字母E、B和C來(lái)表示發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。
基極的物理位置在發(fā)射極和集電極之間，它由輕摻雜、高電阻率的材料制成。集電極包圍著基極區(qū)域，由于集電結(jié)反向偏置，電子很難從這里被注入到基極區(qū)域，這樣就造成共基極電流增益約等于1，而共射極電流增益取得較大的數(shù)值。從右邊這個(gè)典型NPN型雙極性晶體管的截面簡(jiǎn)圖可以看出，集電結(jié)的面積大于發(fā)射結(jié)。此外，發(fā)射極具有相當(dāng)高的摻雜濃度。
在通常情況下，雙極性晶體管的幾個(gè)區(qū)域在物理性質(zhì)、幾何尺寸上并不對(duì)稱(chēng)。假設(shè)連接在電路中的晶體管位于正向放大區(qū)，如果此時(shí)將晶體管集電極和發(fā)射極在電路中的連接互換，將使晶體管離開(kāi)正向放大區(qū)，進(jìn)入反向工作區(qū)。晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定了它適合在正向放大區(qū)工作，所以反向工作區(qū)的共基極電流增益和共射極電流增益比晶體管位于正向放大區(qū)時(shí)小得多。這種功能上的不對(duì)稱(chēng)，根本上是緣于發(fā)射極和集電極的摻雜程度不同。因此，在NPN型晶體管中，盡管集電極和發(fā)射極都為N型摻雜，但是二者的電學(xué)性質(zhì)和功能完全不能互換。發(fā)射極區(qū)域的摻雜程度最高，集電極區(qū)域次之，基極區(qū)域摻雜程度最低。此外，三個(gè)區(qū)域的物理尺度也有所不同，其中基極區(qū)域很薄，并且集電極面積大于發(fā)射極面積。由于雙極性晶體管具有這樣的物質(zhì)結(jié)構(gòu)，因此可以為集電結(jié)提供一個(gè)反向偏置，不過(guò)這樣做的前提是這個(gè)反向偏置不能過(guò)大，以致于晶體管損壞。對(duì)發(fā)射極進(jìn)行重?fù)诫s的目的是為了增加發(fā)射極電子注入到基極區(qū)域的效率，從而實(shí)現(xiàn)盡量高的電流增益。
在雙極性晶體管的共射極接法里，施加于基極、發(fā)射極兩端電壓的微小變化，都會(huì)造成發(fā)射極和集電極之間的電流發(fā)生顯著變化。利用這一性質(zhì)，可以放大輸入的電流或電壓。把雙極性晶體管的基極當(dāng)做輸入端，集電極當(dāng)做輸出端，可以利用戴維南定理分析這個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò)。利用等效的原理，可以將雙極性晶體管看成是電壓控制的電流源，也可以將其視為電流控制的電壓源。此外，從二端口網(wǎng)絡(luò)的左邊看進(jìn)去，基極處的輸入阻抗減小到基極電阻的，這樣就降低了對(duì)前一級(jí)電路的負(fù)載能力的要求??。
NPN型
NPN型晶體管是兩種類(lèi)型雙極性晶體管的其中一種，由兩層N型摻雜區(qū)域和介于二者之間的一層P型雜質(zhì)半導(dǎo)體（基極）組成。輸入到基極的微小電流將被放大，產(chǎn)生較大的集電極-發(fā)射極電流。當(dāng)NPN型晶體管基極電壓高于發(fā)射極電壓，并且集電極電壓高于基極電壓，則晶體管處于正向放大狀態(tài)。在這一狀態(tài)中，晶體管集電極和發(fā)射極之間存在電流。被放大的電流，是發(fā)射極注入到基極區(qū)域的電子（在基極區(qū)域?yàn)樯贁?shù)載流子），在電場(chǎng)的推動(dòng)下漂移到集電極的結(jié)果。由于電子遷移率比空穴遷移率更高，因此現(xiàn)在使用的大多數(shù)雙極性晶體管為NPN型。
NPN型雙極性晶體管的電學(xué)符號(hào)，基極和發(fā)射極之間的態(tài)射指向發(fā)射極。
PNP型
雙極性晶體管的另一種類(lèi)型為PNP型，由兩層P型摻雜區(qū)域和介于二者之間的一層N型雜質(zhì)半導(dǎo)體組成。流經(jīng)基極的微小電流可以在發(fā)射極端得到放大。也就是說(shuō)，當(dāng)PNP型晶體管的基極電壓低于發(fā)射極時(shí)，集電極電壓低于基極，晶體管處于正向放大區(qū)。
在雙極性晶體管電學(xué)符號(hào)中，基極和發(fā)射極之間的箭頭指向電流的方向，這里的電流為電子流動(dòng)的反方向。與NPN型相反，PNP型晶體管的箭頭從發(fā)射極指向基極??。
異質(zhì)結(jié)
異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管（heterojunction bipolar transistor）是一種改良的雙極性晶體管，它具有高速工作的能力。研究發(fā)現(xiàn)，這種晶體管可以處理頻率高達(dá)幾百GHz的超高頻信號(hào)，因此它適用于射頻功率放大、激光驅(qū)動(dòng)等對(duì)工作速度要求苛刻的應(yīng)用。
異質(zhì)結(jié)是PN結(jié)的一種，這種結(jié)的兩端由不同的半導(dǎo)體材料制成。在這種雙極性晶體管中，發(fā)射結(jié)通常采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，即發(fā)射極區(qū)域采用寬禁帶材料，基極區(qū)域采用窄禁帶材料。常見(jiàn)的異質(zhì)結(jié)用砷化鎵（GaAs）制造基極區(qū)域，用鋁-鎵-砷固溶體（AlxGa1-xAs）制造發(fā)射極區(qū)域。采用這樣的異質(zhì)結(jié)，雙極性晶體管的注入效率可以得到提升，電流增益也可以提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)。
采用異質(zhì)結(jié)的雙極性晶體管基極區(qū)域的摻雜濃度可以大幅提升，這樣就可以降低基極電極的電阻，并有利于降低基極區(qū)域的寬度。在傳統(tǒng)的雙極性晶體管，即同質(zhì)結(jié)晶體管中，發(fā)射極到基極的載流子注入效率主要是由發(fā)射極和基極的摻雜比例決定的。在這種情況下，為了得到較高的注入效率，必須對(duì)基極區(qū)域進(jìn)行輕摻雜，這樣就不可避免地使增大了基極電阻。
如左邊的示意圖6中，代表空穴從基極區(qū)域到達(dá)發(fā)射極區(qū)域跨越的勢(shì)差；而則代表電子從發(fā)射極區(qū)域到達(dá)基極區(qū)域跨越的勢(shì)差。由于發(fā)射結(jié)具有異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，可以使，從而提高了發(fā)射極的注入效率。在基極區(qū)域里，半導(dǎo)體材料的組分分布不均，造成緩變的基極區(qū)域禁帶寬度，其梯度為以表示。這一緩變禁帶寬度，可以為少數(shù)載流子提供一個(gè)內(nèi)在電場(chǎng)，使它們加速通過(guò)基極區(qū)域。這個(gè)漂移運(yùn)動(dòng)將與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生協(xié)同作用，減少電子通過(guò)基極區(qū)域的渡越時(shí)間，從而改善雙極性晶體管的高頻性能。
盡管有許多不同的半導(dǎo)體可用來(lái)構(gòu)成異質(zhì)結(jié)晶體管，硅-鍺異質(zhì)結(jié)晶體管和鋁-砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管更常用。制造異質(zhì)結(jié)晶體管的工藝為晶體外延技術(shù)，例如金屬有機(jī)化合物氣相外延（Metalorganic vapour 相位 epitaxy, MOCVD）和分子束外延。
工作區(qū)
可以根據(jù)晶體管三個(gè)終端的的偏置狀態(tài)，可以定義雙極性晶體管幾個(gè)不同的工作區(qū)。在NPN型半導(dǎo)體中（注意：PNP型晶體管和NPN型晶體管的電壓描述恰好相反），按發(fā)射結(jié)、集電結(jié)的偏置情況，工作區(qū)可以分為為
正向放大區(qū)（或簡(jiǎn)稱(chēng)放大區(qū)）：當(dāng)發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置時(shí)，晶體管工作在放大區(qū)。大多數(shù)雙極性晶體管的設(shè)計(jì)目標(biāo)，是為了在正向放大區(qū)得到最大的共射極電流增益bf。晶體管工作在這一區(qū)域時(shí)，集電極-發(fā)射極電流與基極電流近似成線(xiàn)性關(guān)系。由于電流增益的緣故，當(dāng)基極電流發(fā)生微小的擾動(dòng)時(shí)，集電極-發(fā)射極電流將產(chǎn)生較為顯著變化。
反向放大區(qū)：如果把上述處于正向放大區(qū)晶體管發(fā)射極、集電極的偏置電壓互換，則雙極性晶體管將工作在反向放大區(qū)。在這種工作模式中，發(fā)射極和集電極區(qū)域扮演的角色與正向放大區(qū)里正好相反，但是由于晶體管集電極的摻雜濃度低于發(fā)射極，反向放大區(qū)產(chǎn)生的效果與正向放大區(qū)并不相同。大多數(shù)雙極性晶體管的設(shè)計(jì)目標(biāo)是盡可能得到最大正向放大電流增益，因此，反向放大區(qū)中的電流增益會(huì)比正向放大區(qū)中小一些（在常規(guī)的鍺晶體管中大約是2-3倍）。實(shí)際上，這種工作模式幾乎不被采用，但是為了防止錯(cuò)誤接法造成器件損壞或其他危險(xiǎn)，設(shè)計(jì)時(shí)必須予以考慮。此外，有些類(lèi)型的雙極性邏輯器件也會(huì)考慮反向放大區(qū)的情況。
飽和區(qū)：當(dāng)雙極性晶體管中兩個(gè)PN結(jié)均處于正向偏置時(shí)，它將處于飽和區(qū)，這時(shí)，晶體管發(fā)射極到集電極的電流達(dá)到最大值，即使增加基極電流，輸出的電流也不會(huì)再增加。飽和區(qū)可以在邏輯器件中用來(lái)表示高電平。
截止區(qū)：如果雙極性晶體管兩個(gè)PN結(jié)的偏置情況與飽和區(qū)恰好相反，那么晶體管將處于截止區(qū)。在這種工作模式下，輸出電流非常小（小功率的硅晶體管小于1微安，鍺晶體管小于即使微安），在數(shù)字邏輯中可以用來(lái)表示低電平。
雪崩擊穿：當(dāng)施加在集電結(jié)上的反向偏置將超過(guò)集電結(jié)所能承受范圍時(shí)，這個(gè)PN結(jié)將被擊穿，若電流足夠大會(huì)造成器件損壞。
此外，分析、設(shè)計(jì)雙極性晶體管電路時(shí)，還應(yīng)當(dāng)注意不能超過(guò)雙極性晶體管的最大集電極耗散功率Pcm。如果晶體管的工作功率小于這一數(shù)值，這些工作狀態(tài)的集合稱(chēng)為安全工作區(qū)。如果晶體管的工作功率超過(guò)這個(gè)限度，將造成器件溫度超過(guò)正常范圍，器件的性能將產(chǎn)生較大的變化，甚至造成損壞。硅晶體管允許的結(jié)溫度介于150攝氏度和200攝氏度之間。可以通過(guò)降低內(nèi)熱阻、使用散熱片和引入風(fēng)冷、水冷、油冷等措施來(lái)提高最大允許耗散功率。
實(shí)際上，上述工作區(qū)之間并沒(méi)有絕對(duì)的界限，在較小電壓變化（小于幾百毫伏）范圍內(nèi)，上面提到的不同區(qū)域之間可能有一定的重疊。
參考資料 >