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來源：互聯(lián)網(wǎng)

長鑫存儲技術(shù)有限公司，簡稱長鑫存儲，是一家一體化存儲器制造公司，專注于動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，技術(shù)研究和開發(fā)中心負責人為周梅生。公司于2017年11月16日成立，注冊地址為安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)啟德路799號，長鑫存儲總部位于安徽合肥。法定代表人是吳麗影，執(zhí)行董事兼總經(jīng)理趙綸。

長鑫存儲以技術(shù)為核心，加強管理體系的建設(shè)，在奇夢達技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，同時結(jié)合當前先進設(shè)備大幅度改進工藝，開發(fā)出獨有的技術(shù)體系，成為奇夢達技術(shù)的繼承者和發(fā)揚者，2019年底，長鑫存儲從Polaris獲得DRAM技術(shù)專利的實施許可。截至2021年有47位博士，918位碩士，擁有行業(yè)頂尖海外研發(fā)和管理人才擔任技術(shù)顧問。承擔國家科技重大專項項目《19nm DRAM產(chǎn)品研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》，申請中國專利超過2000件，獲取發(fā)明專利授權(quán)和實用新型授權(quán)近800件，申請PCT國際專利近100件，軟件著作權(quán)近20件。長鑫存儲的技術(shù)團隊擁有豐富的技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗和創(chuàng)新能力，已推出多款DRAM商用產(chǎn)品，廣泛應用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。長鑫存儲技術(shù)有限公司的二期擴建預計于2024年底前完成。

2022年第三屆中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國IC風云榜頒獎典禮上，《2021中國半導體企業(yè)100強》排行榜正式發(fā)布。榜單顯示，長鑫存儲排名第10位。同年11月2日，中科院《互聯(lián)網(wǎng)周刊》、eNet硅谷動力、德本咨詢聯(lián)合發(fā)布“2022集成電路獨角獸企業(yè)TOP50”，長鑫存儲技術(shù)有限公司在其中。

歷史沿革

2016年5月，長鑫存儲的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動，總投資1500億元，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。次年3月，長鑫存儲（合肥）DRAM基地一期項目開工建設(shè)。2018年1月，長鑫存儲（合肥）DRAM基地一期項目完成廠房建設(shè)，開始設(shè)備搬入。在2018年7月驗證投片，試產(chǎn)8GbDDR4工程樣品。2019年9月，8Gb DDR4亮相世界制造業(yè)大會。2019年11月獲得首筆訂單，產(chǎn)品銷售由此啟動。2019年底，長鑫存儲從Polaris獲得DRAM技術(shù)專利的實施許可。

長鑫存儲技術(shù)有限公司于2022年7月申請一項名為“半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法“，公開號CN117525031A。11月25日，長鑫存儲與上海閔行區(qū)、上海臨港經(jīng)濟發(fā)展集團有限公司簽訂三方戰(zhàn)略合作協(xié)議。2023年11月28日，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片，該產(chǎn)品與上一代LPDDR4X相比，速率提升50%（達到6400Mbps），功耗降低30%。12GB LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設(shè)備市場推出的產(chǎn)品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產(chǎn)品布局。長鑫存儲也成為國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌。2024年3月，長鑫存儲自創(chuàng)立以來完成多輪融資，以1400億元投前估值完成108億元融資，投資方包括兆易創(chuàng)新、長鑫集成、合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司壹號股權(quán)投資合伙企業(yè)、建信金融資產(chǎn)投資有限公司等。長鑫存儲技術(shù)有限公司的二期擴建預計于2024年底前完成，每月增加40000片晶圓，讓長鑫存儲的DRAM總產(chǎn)能達到全球規(guī)模的10%。

2024年10月26日，長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項名為“半導體器件及其制備方法”的專利（授權(quán)公告號CN 114267640 B，申請日期為2020年9月）和一項名為“存儲器的制作方法及存儲器”的專利（授權(quán)公告號CN 114256154 B，申請日期為2020年9月）。2025年7月7日，長鑫存儲正式啟動科創(chuàng)板IPO輔導，中金公司、中信建投擔任保薦機構(gòu)。根據(jù)證監(jiān)會新規(guī)，輔導期原則上不少于3個月，若進展順利，最快2025年底或2026年初提交IPO申請。并且目標估值約3000億元人民幣，計劃通過首次公開募股籌集200億至400億元資金，主要用于下一代動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）及高帶寬內(nèi)存（HBM）的研發(fā)等業(yè)務(wù)擴張。根據(jù)市場分析機構(gòu)Counterpoint的預測數(shù)據(jù)，2025年長鑫存儲的DRAM出貨量將實現(xiàn)同比50%的增長。其全球DRAM市場出貨份額預計從該年第一季度的6%提升至第四季度的8%。此外，在DDR5市場領(lǐng)域，其份額將從2025年第一季度的不足1%增長至年底的7%；在LPDDR5市場領(lǐng)域，份額則從第一季度的0.5%提升至年底的9%。2025年9月，長鑫存儲取得12英寸存儲器晶圓制造基地一期量產(chǎn)線技術(shù)升級改造項目環(huán)評審批；10月，獲發(fā)長鑫一期配套廢水站及廠務(wù)設(shè)施項目施工許可證。11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會上，長鑫存儲發(fā)布了新一代DDR5產(chǎn)品系列：最高速率達8000 MT/s，最高顆粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產(chǎn)品，覆蓋服務(wù)器、工作站及個人電腦等全場景領(lǐng)域。

公司治理

管理層

參考資料

股權(quán)架構(gòu)

參考資料

主營業(yè)務(wù)

?長鑫存儲技術(shù)有限公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片DRAM的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。長鑫存儲自2016年成立以來，以技術(shù)為核心，加強管理體系的建設(shè)，在奇夢達技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，同時結(jié)合當前先進設(shè)備大幅度改進工藝，開發(fā)出獨有的技術(shù)體系，成為奇夢達技術(shù)的繼承者和發(fā)揚者。長鑫存儲當前研發(fā)、生產(chǎn)范圍主要包括DDR4內(nèi)存芯片、LPDDR4X 內(nèi)存芯片、DDR4 模組，并轉(zhuǎn)向DDR5、HBM3，以保持利潤率。長鑫存儲自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存芯片，是首顆國產(chǎn)DDR4芯片，擁有更快的數(shù)據(jù)傳輸速率、更穩(wěn)定的性能和更低的能耗，可應用于PC、筆記本電腦、服務(wù)器、消費電子類產(chǎn)品等領(lǐng)域。LPDDR4X 內(nèi)存芯片能提供高效能與低功耗的解決方案。DDR4 模組是目前內(nèi)存市場主流產(chǎn)品，可服務(wù)于個人電腦和服務(wù)器等傳統(tǒng)市場，以及人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等新興市場。長鑫存儲將憑借值得信賴的產(chǎn)品和服務(wù)滿足不斷增長的市場需求，致力于成為技術(shù)領(lǐng)先與商業(yè)成功的半導體存儲芯片公司，以存儲科技賦能信息社會，改善人類生活。