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面壘型半導體探測器是一種應用于射線測量的半導體探測器。
結構原理
這種類型的探測器通常采用金硅面壘型，即在經(jīng)過特殊處理的單晶片表面上蒸發(fā)一層薄金來制造。這個金屬-半導體界面具有整流特性，在工作狀態(tài)下，涂金層充當陰極，而硅基片的另一側則通過蒸發(fā)一層薄鋁或鎳形成電極接觸引線，這些引線連接至電源的正極。為了能夠檢測由探測器產生的電脈沖信號，使用時需要配備電荷靈敏度的放大器。
應用
面壘型半導體探測器廣泛應用于射線測量領域，尤其是金硅面壘型因其獨特的性能而在相關技術中得到廣泛應用。
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