張耀輝，男，中國科學(xué)院蘇州納米所研究員。主要從事超大規(guī)模集成電路設(shè)計，低功耗嵌入式系統(tǒng)等方面的研究。
人物經(jīng)歷
張耀輝1989年畢業(yè)于南京大學(xué)物理學(xué)院，
1995年在中科院半導(dǎo)體研究所獲博士學(xué)位。
1995至1996年為德國Paul-Drude固體電子研究所博士后。
1996年1998年任新加坡國立微電子研究所研究員。
1998年至2001年任新加坡國立微電子研究所高級研究工程師。
1999年至2001年，任摩托羅拉數(shù)字基因?qū)嶒炇?中國)部門經(jīng)理和首席工程師。
2001年至2003年為加州大學(xué)洛杉磯分校訪問學(xué)者。
2003年至今，北京大學(xué)微電子學(xué)研究所兼職教授。
2006年6月通過中科院百人計劃資格評審，現(xiàn)為我所研究員，博士生導(dǎo)師。
主要成就
1998年發(fā)明兩端固態(tài)自發(fā)混沌振蕩器用作保密通訊。
1999年至2001年發(fā)明了納米尺度的溝槽肖脫基MOS場效應(yīng)晶體管。
2001年至2002年提出和設(shè)計了高介電常數(shù)閃爍存儲器單元器件結(jié)構(gòu)，能使閃爍存儲器單元的讀寫電壓減小到10伏，讀寫時間減小到10微秒以下，并且能使閃爍存儲器能采用50納米以下的CMOS技術(shù)制造，讓1000G的閃爍存儲器可以大規(guī)模制造.
2002年提出和設(shè)計了高介電常數(shù)閃爍存儲器單元器件結(jié)構(gòu)。
2004年理論和實驗證明了納米尺度的MOS場效應(yīng)晶體管在積累區(qū)能自動具有單電子晶體管特性。
2005年研制出我國第一支無線通訊基站用的高頻大功率RF LDMOS器件，該產(chǎn)品擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。
參考資料 >